Биполярный транзистор PMD2495 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMD2495
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: TO220IS
PMD2495 Datasheet (PDF)
pmd2495.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PMD2495 NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR designed for Audio, Series Regulator and General Purpose Complementary to PMB1626 TO-220IS MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 110 VCollector Emitter Voltage VCEO 110 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 6 ABase Current IB 1 ACollector Dissipation Tc
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .