Биполярный транзистор PN200A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PN200A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PN200A Datasheet (PDF)
pn200a.pdf

PN200 MMBT200PN200A MMBT200ACEC TO-92SOT-23 BBEMark: N2 / N2APNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier applicationsat collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Voltage 60 V
pn200a mmbt200.pdf

PN200A / MMBT200PNP General-Purpose AmplifierDescriptionThis device is designed for general-purpose amplifierapplications at collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 68.CETO-92BSOT-23EBCFigure 1. PN200A Device Package Figure 2. MMBT200 Device Package Ordering InformationPart Number Marking Package Packing MethodPN200A PN200A TO-92 3L BulkMMBT200 N2 SOT-2
pn200-a mmbt200-a.pdf

PN200 MMBT200PN200A MMBT200ACEC TO-92SOT-23 BBEMark: N2 / N2APNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier applicationsat collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-Base Voltage 60 V
pn100 pn200 a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PN200 PN200A TO-92 Plastic PackageCBECOMPLEMENTARY PN100, PN100AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 35 VVCBOCollector Base Voltage 60 VVEBOEmitter
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: BSXP87 | D45VH4 | 2SC933NP | BSX52B | BC817-40 | PBSS305ND | CX958B
History: BSXP87 | D45VH4 | 2SC933NP | BSX52B | BC817-40 | PBSS305ND | CX958B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent