2N2060M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N2060M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO78
Аналоги (замена) для 2N2060M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N2060M даташит
2n2060m.pdf
2N2060M www.centralsemi.com SILICON DESCRIPTION DUAL NPN TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2060M is a silicon dual NPN transistor utilizing two individual chips mounted in a hermetically sealed metal case designed for differential amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER TO-78 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) SYMBOL UNITS Collector-Base Volt
2n2060adcsm.pdf
2N2060ADCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 80V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.5A C (0.
2n2060.pdf
TECHNICAL DATA UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/270 Devices Qualified Level JAN 2N2060 JANTX 2N2060L JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N2060 Unit Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Collector Current 500 mAdc IC One Both Section Sections Total
2n2060l.pdf
TECHNICAL DATA UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/270 Devices Qualified Level JAN 2N2060 JANTX 2N2060L JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N2060 Unit Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Collector Current 500 mAdc IC One Both Section Sections Total
Другие транзисторы: 2N1132L, 2N1714S, 2N1715S, 2N1716S, 2N1717S, 2N1893X, 2N2060ADCSM, 2N2060L, BC558, 2N2218AL, 2N2218AX, 2N2218X, 2N2221AL, 2N2221AUBC, 2N2221AX, 2N2222AC1A, 2N2222AC1B
History: KRC842U | 2N1662
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749




