2N2857C1 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2N2857C1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2857C1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: LCC2

Аналоги (замена) для 2N2857C1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2N2857C1 даташит

..1. Size:196K semelab
2n2857c1.pdf pdf_icon

SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 2N2857C1 High Current Gain-Bandwidth Product (fT) Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For High Gain, Low Noise Amplifier, Oscillator and Mixer Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 30V VCEO Collector Emitt

0.1. Size:197K semelab
2n2857c1b.pdf pdf_icon