2N2894AC1A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N2894AC1A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2N2894AC1A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N2894AC1A даташит
2n2894ac1a.pdf
HIGH SPEED PNP SILICON BIPOLAR TRANSISTOR 2N2894AC1 Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT23 Compatible) Silicon Planar Epitaxial PNP Transistor High Speed low Saturation Switching Space Level and High-Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -12V VCEO Collecto
2n2894ac1b.pdf
HIGH SPEED PNP SILICON BIPOLAR TRANSISTOR 2N2894AC1 Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT23 Compatible) Silicon Planar Epitaxial PNP Transistor High Speed low Saturation Switching Space Level and High-Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -12V VCEO Collecto
2n2894a.pdf
2N2894A Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 12V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.2A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
2n2894adcsm.pdf
2N2894ADCSM DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE Dimensions in mm (inches) FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL DUAL PNP 2.29 0.20 1.65 0.13 1.40 0.15 (0.09 0.008) (0.065 0.005) (0.055 0.006) TRANSISTOR HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT 2 3 PACKAGE 1 4 CECC SCR
Другие транзисторы: 2N2484UA, 2N2484UBC, 2N2604UB, 2N2696CSM, 2N2857C1, 2N2857C1A, 2N2857C1B, 2N2891SMD05, 2SA1015, 2N2894AC1B, 2N2894ADCSM, 2N2896CSM4, 2N2896X, 2N2904ACSM, 2N2904CSM, 2N2904DCSM, 2N2905ACSM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet




