2N3442G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3442G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO204

 Аналоги (замена) для 2N3442G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3442G даташит

 ..1. Size:65K  onsemi
2n3442g.pdfpdf_icon

2N3442G

2N3442 High-Power Industrial Transistors NPN silicon power transistor designed for applications in industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunt regulators and power switches. http //onsemi.com Features 10 AMPERE Collector -Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 140 Vdc (Min) POWER TRANSISTOR Excellent Second Breakdown Capabi

 8.1. Size:135K  motorola
2n3442r7.pdfpdf_icon

2N3442G

Order this document MOTOROLA by 2N3442/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N3442 High-Power Industrial Transistors 10 AMPERE NPN silicon power transistor designed for applications in industrial and commercial POWER TRANSISTOR equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunt regulators and NPN SILICON power switches. 140 VOLTS Collector Emitter Sustaining Vol

 8.2. Size:61K  central
2n3442.pdfpdf_icon

2N3442G

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.3. Size:65K  onsemi
2n3442-d.pdfpdf_icon

2N3442G

2N3442 High-Power Industrial Transistors NPN silicon power transistor designed for applications in industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunt regulators and power switches. http //onsemi.com Features 10 AMPERE Collector -Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 140 Vdc (Min) POWER TRANSISTOR Excellent Second Breakdown Capabi

Другие транзисторы: 2N3439DCSM, 2N3439UA, 2N3440C3A, 2N3440C3B, 2N3440C3C, 2N3440CSM4R, 2N3440DCSM, 2N3440UA, B772, 2N3467L, 2N3468L, 2N3498L, 2N3499L, 2N3500L, 2N3501UB, 2N3506A, 2N3506AL