2N3868S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3868S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N3868S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3868S даташит

 ..1. Size:1098K  no
 2n3868s.pdf pdf_icon

2N3868S

The documentation and process conversion INCH-POUND measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/350M shall be completed by 30 November 2015. 31 August 2015 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/350L 5 July 2010 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * TRANSISTOR, PNP, SILICON, LOW POWER TYPES 2N3867, 2N3868, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC This specification is

 0.1. Size:10K  semelab
 2n3868smd05.pdf pdf_icon

2N3868S

2N3868SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar PNP Device. 2 VCEO = 60V IC = 1A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab herm

 0.2. Size:10K  semelab
 2n3868smd.pdf pdf_icon

2N3868S

2N3868SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar PNP Device. 2 VCEO = 60V IC = 1A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0

 8.1. Size:1098K  no
 2n3868u4.pdf pdf_icon

2N3868S

The documentation and process conversion INCH-POUND measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/350M shall be completed by 30 November 2015. 31 August 2015 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/350L 5 July 2010 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * TRANSISTOR, PNP, SILICON, LOW POWER TYPES 2N3867, 2N3868, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC This specification is

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3810L, 2N3810U, 2N3811L, 2N3811U, 2N3866UB, 2N3867S, 2N3867SMD05, 2N3867U4, 2N5401, 2N3868SMD, 2N3868SMD05, 2N3868U4, 2N3879SMD, 2N3879SMD05, 2N3902T1, 2N3902T3, 2N3904G