Биполярный транзистор 2N5157T1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5157T1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO-254AA
2N5157T1 Datasheet (PDF)
2n5157t1.pdf
The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document INCH-POUND shall be completed by 13 February 2014. MIL-PRF-19500/371H 13 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/371G 28 January 2009 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, TYPES 2N3902, 2N3902T1, 2N3902T3, 2N5157, 2N5157T1, AND
2n5157t3.pdf
The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document INCH-POUND shall be completed by 13 February 2014. MIL-PRF-19500/371H 13 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/371G 28 January 2009 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, TYPES 2N3902, 2N3902T1, 2N3902T3, 2N5157, 2N5157T1, AND
2n5157.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5157 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MAXIMUN RATINGS(Ta=25) SYMBOL PA
2n3902 2n5157.pdf
NPN High Power Silicon Transistors2N3902 & 2N5157Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/371 TO-3 (TO-204AA) PackageMaximum RatingsRatings Symbol 2N3902 2N5157 UnitsCollector - Emitter Voltage VCEO 400 500 VdcEmitter - Base Voltage VEBO5.0 6.0 VdcCollector - Base Voltage VCBO 7.0 VdcBase Current IB 2.0 AdcCollector Current IC 3.5 AdcTotal
2n5157.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5157 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050