2N5794UC - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N5794UC - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N5794UC
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: CHIP

Аналоги (замена) для 2N5794UC

2N5794UC Datasheet (PDF)

..1. Size:187K microsemi
2n5794uc 2n5794uc 2n5794u.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /495 DEVICES LEVELS 2N5793 JAN2N5794 2N5794U

7.1. Size:262K optek
2n5794u.pdf

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5794USeptember 1996Surface Mount Dual NPN TransistorType JANTX, JANTXV, 2N5794U.058 (1.47)FeaturesAbsolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 VHermetically sealed Collector-Base V

7.2. Size:187K microsemi
2n5794u.pdf