2N5883G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5883G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO204AA

 Аналоги (замена) для 2N5883G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5883G даташит

 ..1. Size:69K  onsemi
 2n5883g 2n5883g 2n5885g.pdf pdf_icon

2N5883G

2N5883, 2N5884 (PNP) 2N5885, 2N5886 (NPN) 2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors Complementary silicon high-power transistors are designed for general-purpose power amplifier and switching applications. Features 25 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - SILICON POWER TRANSISTORS VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC

 8.1. Size:275K  motorola
 2n5883 2n5884 2n5885 2n5886.pdf pdf_icon

2N5883G

Order this document MOTOROLA by 2N5883/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA PNP 2N5883 Complementary Silicon High-Power Transistors 2N5884* NPN . . . designed for general purpose power amplifier and switching applications. Low Collector Emitter Saturation Voltage 2N5885 VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc Low Leakage Current 2N5886* ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated

 8.2. Size:105K  central
 2n5883 2n5884 2n5885 2n5886 2.pdf pdf_icon

2N5883G

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 8.3. Size:94K  onsemi
 2n5883 2n5884 2n5885 2n5886.pdf pdf_icon

2N5883G

2N5883, 2N5884 (PNP) 2N5885, 2N5886 (NPN) 2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors Complementary silicon high-power transistors are designed for general-purpose power amplifier and switching applications. http //onsemi.com Features 25 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - SILICON POWER TRANSISTORS VCE(sat) = 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5784SMD05, 2N5785N1, 2N5785SMD, 2N5785SMD05, 2N5786L, 2N5794U, 2N5794UC, 2N5796U, TIP2955, 2N5884G, 2N5885G, 2N5886G, 2N6034G, 2N6035G, 2N6036G, 2N6038G, 2N6039G