2N6286G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6286G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N6286G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6286G даташит

 ..1. Size:135K  onsemi
 2n6286g.pdf pdf_icon

2N6286G

2N6284 (NPN); 2N6286, 2N6287 (PNP) Preferred Device Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications. http //onsemi.com Features 20 AMPERE High DC Current Gain @ IC = 10 Adc - COMPLEMENTARY SILICON hFE = 2400 (Typ) - 2N6284 POWER TRANSISTORS = 4000 (Typ) - 2N6287 100 VOLTS, 1

 8.1. Size:214K  motorola
 2n6282 2n6283 2n6284 2n6285 2n6286 2n6287.pdf pdf_icon

2N6286G

Order this document MOTOROLA by 2N6282/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N6282 Darlington Complementary thru Silicon Power Transistors . . . designed for general purpose amplifier and low frequency switching applica- 2N6284* tions. PNP High DC Current Gain @ IC = 10 Adc 2N6285 hFE = 2400 (Typ) 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) 2N6285, 2N6286, 2N6287

 8.2. Size:174K  aeroflex
 2n6286 2n6287.pdf pdf_icon

2N6286G

PNP Darlington Power Silicon Transistor 2N6286 & 2N6287 Features Available in JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/505 TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol 2N6286 2N6287 Units Collector - Emitter Voltage VCEO -80 -100 Vdc Collector - Base Voltage VCBO -80 -100 Vdc Emitter - Base Voltage VEBO -7.0 Vdc Base Current IB -0.5 Adc Collector Current IC -20 Adc (1

 8.3. Size:118K  inchange semiconductor
 2n6285 2n6286 2n6287.pdf pdf_icon

2N6286G

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6285 2N6286 2N6287 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6282/6283/6284 High DC current gain DARLINGTON APPLICATIONS For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6111G, 2N6193ALCC4, 2N6193LCC4, 2N6235X, 2N6249T1, 2N6250T1, 2N6251T1, 2N6284G, BDT88, 2N6287G, 2N6288G, 2N6292G, 2N6299SMD, 2N6299SMD05, 2N6301SMD, 2N6301SMD05, 2B3440CSM4R