Справочник транзисторов. 2N6299SMD

 

Биполярный транзистор 2N6299SMD Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6299SMD
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO276AB
 

 Аналог (замена) для 2N6299SMD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6299SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  semelab
2n6299smd05 2n6299smd 2n6301smd 2n6301smd05.pdfpdf_icon

2N6299SMD

2N6299SMD 2N6299SMD052N6301SMD 2N6301SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6299SMD - PNP TRANSISTOR2N6301SMD - NPN TRANSISTOR Designed for general

 8.1. Size:122K  jmnic
2n6298 2n6299.pdfpdf_icon

2N6299SMD

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6298 2N6299 DESCRIPTION With TO-66 package DARLINGTON Low collector saturation voltage Complement to type 2N6300/6301 APPLICATIONS General purpose power amplifier and low frequency switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outlin

 8.2. Size:185K  aeroflex
2n6298 2n6299.pdfpdf_icon

2N6299SMD

PNP Darlington Power Silicon Transistor2N6298 & 2N6299Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/540 TO-66 (TO-213AA) PackageMaximum RatingsRatings Symbol 2N6298 2N6299 UnitsCollector - Emitter Voltage VCEO 60 80 VdcCollector - Base Voltage VCBO 60 80 VdcEmitter - Base Voltage VEBO 5.0 VdcBase Current IB 120 mAdcCollector Current IC 8.0 AdcTot

 8.3. Size:131K  inchange semiconductor
2n6298 2n6299.pdfpdf_icon

2N6299SMD

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6298 2N6299 DESCRIPTION With TO-66 package DARLINGTON Low collector saturation voltage Complement to type 2N6300/6301 APPLICATIONS General purpose power amplifier and low frequency switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (T

Другие транзисторы... 2N6249T1 , 2N6250T1 , 2N6251T1 , 2N6284G , 2N6286G , 2N6287G , 2N6288G , 2N6292G , C945 , 2N6299SMD05 , 2N6301SMD , 2N6301SMD05 , 2B3440CSM4R , 2PA1576 , 2PA1774 , 2PA1774M , 2PA1774QM .

History: KT969A-5 | MPS650 | AM80912-030 | RT1P230C | 2N6193LCC4

 

 
Back to Top

 


 
.