2PB709AW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2PB709AW  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2PB709AW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2PB709AW даташит

 ..1. Size:47K  kexin
2pb709aw.pdfpdf_icon

2PB709AW

SMD Type IC SMD Type Transistors PNP General Purpose Transistor 2PB709AW Features High collector current (max. 100 mA). Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV). 1 Emitter 2 Base 3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -45 V Collector-emitter voltage VCEO -45 V Emitter-base voltage VEBO -6 V Collector cur

 7.1. Size:93K  philips
2pb709art.pdfpdf_icon

2PB709AW

2PB709ART 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor Rev. 01 19 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement 2PD601ART. 1.2 Features General-purpose transistor Small SMD plastic package 1.3 Applications General-purpose switching

 7.2. Size:56K  philips
2pb709arl-asl.pdfpdf_icon

2PB709AW

2PB709ARL; 2PB709ASL 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Rev. 01 12 November 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number[1] Package NPN complement NXP JEDEC 2PB709ARL SOT23 TO-236AB 2PD601ARL 2PB709ASL 2PD6

 7.3. Size:47K  philips
2pb709a 4.pdfpdf_icon

2PB709AW

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 2PB709A PNP general purpose transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor 2PB709A FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector

Другие транзисторы: 2PA1774QM, 2PA1774RM, 2PA1774SM, 2PB1424, 2PB709AQW, 2PB709ARL, 2PB709ART, 2PB709ASL, A1015, 2PB709AXL, 2PB709AXW, 2PB710ARL, 2PB710ASL, 2PB710AXL, 2PC4617M, 2PC4617QM, 2PC4617QMB