Биполярный транзистор 2PB710ARL - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2PB710ARL
Маркировка: SE
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2PB710ARL
2PB710ARL Datasheet (PDF)
2pb710arl 2pb710asl 2pb710arl-dg 2pb710asl-dg.pdf
2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNexperia JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL
2pb710arl 2pb710arl 2pb710axl.pdf
2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL 2PD60
2pb710arl-asl.pdf
2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL 2PD60
2pb710a.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D1142PB710APNP general purpose transistorProduct data sheet 1999 May 31Supersedes data of 1999 Apr 23 NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose transistor 2PB710AFEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector
2pb710a 6.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1142PB710APNP general purpose transistor1999 May 31Product specificationSupersedes data of 1999 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2PB710AFEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collecto
2pb710axl.pdf
2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL 2PD60
2pb710asl.pdf
2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL 2PD60
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050