2SCR375P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SCR375P
Маркировка: GZ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SCR375P
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SCR375P даташит
2scr375p.pdf
2SCR375P Datasheet Middle Power Transistor(120V/1.5A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 120V IC 1.5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l Low saturation voltage VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/IB=800mA/80mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging specifications l Basic Package Taping Reel size Tape width Par
2scr372p.pdf
Data Sheet Midium Power Transistors (120V / 700mA) 2SCR372P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor MPT3 Features Low saturation voltage VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 50mA) (1) (2) (3) (1) Base (2) Collector Applications Abbreviated symbol GX (3) Emitter Driver Packaging specifications Inner circuit (Unit
2scr372pfra.pdf
2SCR372P 2SCR372PFRA Datasheet NPN 700mA 120V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO 120V Base IC 700mA Collector Emitter 2SCR372PFRA 2SCR372P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.30V(Max.) (IC/IB=500mA/50mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplic
2scr346p.pdf
2SCR346P Datasheet NPN 100mA 400V Middle Power Transistor lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 400V IC 100mA MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Complementary PNP Types 2SAR340P 2)Low VCE(sat) VCE(sat)=300mV(Max) (IC/IB=20mA/2mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging specifications l Package Taping Re
Другие транзисторы: 2PD602AQL, 2PD602ARL, 2PD602ASL, 2PD602AXL, 2S306A, 2S323A, 2SCR293PFRA, 2SCR372PFRA, TIP127, 2SCR502EB, 2SCR502UB, 2SCR512PFRA, 2SCR512R, 2SCR513PFRA, 2SCR513R, 2SCR514PFRA, 2SCR533PFRA
History: BSXP66
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor




