2SCR512R - описание и поиск аналогов

 

2SCR512R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SCR512R

Маркировка: NB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC96

 Аналоги (замена) для 2SCR512R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR512R даташит

 ..1. Size:1789K  rohm
2scr512r.pdfpdf_icon

2SCR512R

2SCR512R Datasheet NPN 2.0A 30V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value TSMT3 VCEO 30V IC 2A SOT-346T SC-96 lFeatures l 1)Suitable for Middle Power Driver lInner circuit l 2)Complementary PNP Types 2SAR512R 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=400mV(Max.) (IC/IB=700mA/35mA) lApplication l LOW FREQ

 7.1. Size:1814K  rohm
2scr512p5.pdfpdf_icon

2SCR512R

2SCR512P5 Datasheet Midium Power Transistors (30V / 2V) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 30V IC 2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.4V(Max.) (IC/IB=700mA/35mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specifica

 7.2. Size:237K  rohm
2scr512p.pdfpdf_icon

2SCR512R

Midium Power Transistors (30V / 2A) 2SCR512P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 700mA / 35mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching Applications Abbreviated symbol NB Driver Packaging specifications Inner circuit (Unit mm) Package Taping

 7.3. Size:1314K  rohm
2scr512pfra.pdfpdf_icon

2SCR512R

2SCR512P 2SCR512PFRA Datasheet NPN 2.0A 30V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO 30V Base IC 2.0A Collector Emitter 2SCR512PFRA 2SCR512P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary PNP Types 2SAR512P 2SAR512PFRA 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.40V(Max.) (IC/IB=700mA/35mA) 4) Lead Free/RoHS

Другие транзисторы: 2S306A, 2S323A, 2SCR293PFRA, 2SCR372PFRA, 2SCR375P, 2SCR502EB, 2SCR502UB, 2SCR512PFRA, SS8050, 2SCR513PFRA, 2SCR513R, 2SCR514PFRA, 2SCR533PFRA, 2SCR542F3, 2SCR542PFRA, 2SCR544PFRA, 2SCR552PFRA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.