Справочник транзисторов. 2SCR533PFRA

 

Биполярный транзистор 2SCR533PFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SCR533PFRA
   Маркировка: NM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SCR533PFRA

 

 

2SCR533PFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  rohm
2scr533pfra.pdf

2SCR533PFRA
2SCR533PFRA

2SCR533P FRADatasheetMiddle Power Transistor (50V / 3A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

 6.1. Size:1910K  rohm
2scr533p.pdf

2SCR533PFRA
2SCR533PFRA

2SCR533PDatasheetMiddle Power Transistors (50V / 3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

 6.2. Size:1805K  rohm
2scr533p5.pdf

2SCR533PFRA
2SCR533PFRA

2SCR533P5DatasheetMiddle Power Transistors (50V / 3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO50VIC3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage, typicallyVCE(sat)=350mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specificati

 7.1. Size:486K  rohm
2scr533d.pdf

2SCR533PFRA
2SCR533PFRA

Midium Power Transistors (50V / 3A) 2SCR533D Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorCPT3 (SC-63) Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)2) High speed switching 9(1) Base Applications(2) Collector (3) EmitterDriv

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top