Биполярный транзистор 2SCR542PFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SCR542PFRA
Маркировка: NQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SCR542PFRA
2SCR542PFRA Datasheet (PDF)
2scr542pfra.pdf
2SCR542PFRA2SCR542P Data SheetNPN 5.0A 30V Middle Power TransistorAEC-Q101 QualifiedlOutline MPT3Parameter ValueVCEO30VBaseIC Collector5.0AEmitter2SCR542PFRA2SCR542PlFeatures(SC-62)1) Suitable for Middle Power Driver2SAR542PFRA2) Complementary PNP Types : 2SAR542P3) Low VCE(sat)VCE(sat)=0.4V Max. (IC/IB=2A/100mA)4) Lead Free/RoHS Compliant
2scr542p.pdf
2SCR542PDatasheetMiddle Power Transistor (30V / 5A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO30VIC5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=400mV(Max.)(IC/IB=2A/100mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specification
2scr542d.pdf
Midium Power Transistors (30V / 5A) 2SCR542D Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorCPT3 (SC-63) Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 2A / 100mA)2) High speed switching 9(1) Base Applications(2) Collector (3) EmitterDriv
2scr542f3.pdf
2SCR542F3DatasheetNPN 3.0A 30V Middle Power TransistorlOutlinelParameter Value HUML2020L3VCEO30VIC3A2SCR542F3 lFeaturesllInner circuitl1) Suitable for Middle Power Driver.2) Low VCE(sat)VCE(sat)=0.20V(Max.).(IC/IB=1A/50mA)3) High collector current.IC=3A(max),ICP=6A(m
2scr542d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SCR542DDESCRIPTIONDC Current Gain h :200-500@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 30V(Min)(BR) CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050