Биполярный транзистор 2SCR554PFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SCR554PFRA
Маркировка: NH
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SCR554PFRA
2SCR554PFRA Datasheet (PDF)
2scr554pfra.pdf
2SCR554P FRADatasheetMiddle Power Transistor (80V / 1.5A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO80VIC1.5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=300mV(Max.)(IC/IB=500mA/25mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITC
2scr554p5.pdf
2SCR554P5DatasheetMiddle Power Transistors (80V / 1.5A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO80VIC1.5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=300mV(Max.)(IC/IB=500mA/25mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging speci
2scr554p.pdf
Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554P Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistor Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)(1) (2) (3)2) High speed switching ApplicationsAbbreviated symbol : NHDriver Packaging specifications Inner circuit (Unit : mm)(2)Package
2scr554r.pdf
Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554R Features Dimensions (Unit : mm)1) Low saturation voltage, typicallyTSMT3VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)2) High speed switching(3)(1) (2) Structure(1) Base(2) EmitterNPN Silicon epitaxial planar transistor(3) Collector Abbreviated symbol : NH Applications Inner circuitDriver(3) Pa
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050