Справочник транзисторов. 4SCG120K

 

Биполярный транзистор 4SCG120K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 4SCG120K
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: DIP14A
 

 Аналог (замена) для 4SCG120K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4SCG120K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  china
 4scg120k.pdf pdf_icon

4SCG120K

4SCG120K PNP A B C PCM Ta=25 5004 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=2V 0.5

 9.1. Size:240K  china
 4scg110.pdf pdf_icon

4SCG120K

4SCG110 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=2V 0.1 A

 9.2. Size:241K  china
 4scg160.pdf pdf_icon

4SCG120K

4SCG160 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 120 160 200 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=50V 0.1 A ICEO VCE=50V 1.0 A IEBO VEB=2V 1.

Другие транзисторы... 30A02MH-TL-E , 30A02MH-TL-H , 30C02CH-TL-E , 30C02MH-TL-E , 30C02MH-TL-H , 4N1815PGP , 4N772GP , 4SCG110 , TIP3055 , 4SCG160 , 4SCG5714 , 4SDG110 , 4SDG110K , 50A02CH-TL-E , 50A02CH-TL-H , 50A02MH-TL-E , 50A02SS-TL-E .

 

 
Back to Top

 


 
.