50C02CH-TL-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 50C02CH-TL-E

Маркировка: CX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для 50C02CH-TL-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

50C02CH-TL-E даташит

 7.1. Size:51K  sanyo
50c02ch.pdfpdf_icon

50C02CH-TL-E

Ordering number ENN7515 50C02CH NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50C02CH Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low-frequency Amplifer, high-speed switching, unit mm small motor drive, muting circuit. 2150A [50C02CH] Features Large current capacitance. 2.9 0.15 0.4 Low collector-to-emitter saturation voltage

 7.2. Size:302K  onsemi
50c02ch.pdfpdf_icon

50C02CH-TL-E

50C02CH Bipolar Transistor 50V, 0.5A, Low VCE(sat), NPN Single www.onsemi.com Features Large Current Capacitance Low Collector to Emitter Saturation Voltage (Resistance) RCE(sat) typ=175m [IC=0.5A, IB=50mA] ELECTRICAL CONNECTION Ultrasmall Package Facilitates Miniaturization in End Products Small ON-Resistance (Ron) 3 1 Base 1 2 Emitter Typical Appl

 9.1. Size:32K  sanyo
50c02ss.pdfpdf_icon

50C02CH-TL-E

Ordering number ENN7519 50C02SS NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50C02SS Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low-frequency Amplifer, high-speed switching, unit mm small motor drive, muting circuit. 2159A [50C02SS] Features Top View Side View Large current capacitance. 1.4 Low collector-to-emitter saturation

 9.2. Size:51K  sanyo
50c02mh.pdfpdf_icon

50C02CH-TL-E

Ordering number ENN7516 50C02MH NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50C02MH Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low-frequency Amplifer, high-speed switching, unit mm small motor drive, muting circuit. 2194A [50C02MH] Features 0.3 0.15 Large current capacitance. 3 Low collector-to-emitter saturation voltage (r

Другие транзисторы: 4SCG160, 4SCG5714, 4SDG110, 4SDG110K, 50A02CH-TL-E, 50A02CH-TL-H, 50A02MH-TL-E, 50A02SS-TL-E, A1941, 50C02MH-TL-E, 50C02SS-TL-E, 5487-1, 5487-2, 5488-1, 5488-2, 5552-4, 55GN01CA-TB-E