Биполярный транзистор 753DCSM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 753DCSM
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: LCC2
753DCSM Datasheet (PDF)
753dcsm.pdf
ZTX653DCSMZTX753DCSMCOMPLEMENTARYNPN/PNP DUAL TRANSISTOR IN A MECHANICAL DATAHERMETICALLY SEALED CERAMICDimensions in mm (inches)SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICTIONS1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)2 3FEATURES1 4 COMPEMENTARY SILICON PLANARA0.236 5rad.(0.009)NPN/PNP TRANSISTORS
ztx753dcsm.pdf
ZTX753DCSMPNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONSMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13 FEATURES(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005) DUAL SILICON PLANAR PNP2 3TRANSISTORS14A0.236 5rad. HERMETIC SURFACE MOUNT PACKAGE(0.009)6.22
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BLV90-SL
History: BLV90-SL
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050