753DCSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 753DCSM

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для 753DCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

753DCSM даташит

 ..1. Size:39K  semelab
 753dcsm.pdf pdf_icon

753DCSM

ZTX653DCSM ZTX753DCSM COMPLEMENTARY NPN/PNP DUAL TRANSISTOR IN A MECHANICAL DATA HERMETICALLY SEALED CERAMIC Dimensions in mm (inches) SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICTIONS 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) 2 3 FEATURES 1 4 COMPEMENTARY SILICON PLANAR A 0.23 6 5 rad. (0.009) NPN/PNP TRANSISTORS

 0.1. Size:33K  semelab
 ztx753dcsm.pdf pdf_icon

753DCSM

Другие транзисторы: 5488-1, 5488-2, 5552-4, 55GN01CA-TB-E, 55GN01FA, 55GN01FA-TL-H, 55GN01MA, 55GN01MA-TL-E, 2SC1815, 8050C, 8050SS, 8050SS-C, 8050SS-D, 8550C, 8550SS, 8550SS-C, 8550SS-D