Справочник транзисторов. BC640-016G

 

Биполярный транзистор BC640-016G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC640-016G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC640-016G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  onsemi
bc640-016g.pdfpdf_icon

BC640-016G

BC640-016GHigh Current TransistorsPNP SiliconFeatures This is a Pb-Free Device http://onsemi.comCOLLECTOR2MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -80 VdcCollector-Base Voltage VCBO -80 Vdc1Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc EMITTERCollector Current - Continuous IC -0.5 AdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mWDerat

 9.1. Size:116K  motorola
bc636 bc638 bc640.pdfpdf_icon

BC640-016G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC636/DHigh Current TransistorsBC636PNP SiliconBC638COLLECTORBC64023BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC BC636 638 640Rating Symbol UnitCASE 2904, STYLE 14TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 45 60 80 VdcCollectorBase Voltage VCBO 45 60 80 VdcEmitt

 9.2. Size:136K  philips
bc640 bcp53 bcx53.pdfpdf_icon

BC640-016G

BC640; BCP53; BCX5380 V, 1 A PNP medium power transistorsRev. 08 22 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP medium power transistor series.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEITA JEDECBC640[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC639BCP53 SOT223 SC-73 - BCP56BCX53 SOT89 SC-62 TO-243 BCX56[1] Valid for all available

 9.3. Size:49K  philips
bc636 bc638 bc640 3.pdfpdf_icon

BC640-016G

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC636; BC638; BC640PNP medium power transistors1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 07Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC636; BC638; BC640FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2 collectorAPPLI

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC570 | FE3727 | 2SD2276 | TK24B | BDX53E | BSX27 | BFN27

 

 
Back to Top

 


 
.