BC808W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC808W

Маркировка: 5Ht

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BC808W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC808W даташит

 ..1. Size:118K  no
bc808w.pdfpdf_icon

BC808W

BC 807W / BC 808W General Purpose Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors PNP PNP Si-Epitaxial PlanarTransistoren f r die Oberfl chenmontage Power dissipation Verlustleistung 225 mW 0.1 0.1 Plastic case SOT-323 2 1 0.3 3 Kunststoffgeh use Type Weight approx. Gewicht ca. 0.01 g Code 12 Plastic material has UL classification 94V-0 1.3 Geh usemat

 9.1. Size:72K  fairchild semi
bc807 bc808.pdfpdf_icon

BC808W

BC807/BC808 Switching and Amplifier Applications Suitable for AF-Driver stages and low power output stages 3 Complement to BC817/BC818 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage BC807 -50 V BC808 -30 V VCEO Collector-

 9.2. Size:73K  samsung
bc807 bc808.pdfpdf_icon

BC808W

BC807/BC808 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS SOT-23 Sutable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC817/BC818 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Emitter Voltage BC807 VCES -50 V BC808 -30 V Collector Emitter Voltage BC807 VCEO -45 V BC808 -25 V Emitter-Base Voltage

 9.3. Size:49K  diodes
bc807 bc808.pdfpdf_icon

BC808W

SOT23 PNP SILICON PLANAR BC807 MEDIUM POWER TRANSISTORS BC808 ISSUE 4 JUNE 1996 T I D T I 8 D 8 8 E 8 8 8 C 8 8 8 8 8 8 B T T 8 8 8 8 8 8 SOT23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 8 8 IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DIT

Другие транзисторы: BC807-25QA, BC807-25WT1G, BC807-40LT1G, BC807-40LT3G, BC807-40QA, BC807-40WT1G, BC808-25LT1G, BC808-40LT1G, S9018, BC817-16-G, BC817-16LG, BC817-16LT1G, BC817-16LT3G, BC817-25-G, BC817-25LG, BC817-25LT1G, BC817-25LT3G