BC846BM3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC846BM3

Маркировка: 1B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для BC846BM3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC846BM3 даташит

 ..1. Size:100K  onsemi
 bc846bm3.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

 0.1. Size:100K  onsemi
 nsvbc846bm3t5g.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

 0.2. Size:96K  onsemi
 bc846bm3t5g nsvbc846bm3t5g.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

 0.3. Size:102K  onsemi
 bc846bm3-d.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V http //onsemi.com This is a Pb-Free Device COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO 65 Vdc 2 Collector-Base Voltage VCBO 80 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC846ALT3G, BC846AW-G, BC846AWR, BC846BDW1T1G, BC846B-G, BC846BLP4, BC846BLT1G, BC846BLT3G, BC557, BC846BMB, BC846BPDW1T1G, BC846BS, BC846BW-G, BC846BWR, BC846BWT1G, BC846C-G, BC846DS