Справочник транзисторов. BC846BM3

 

Биполярный транзистор BC846BM3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC846BM3
   Маркировка: 1B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT723
 

 Аналог (замена) для BC846BM3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC846BM3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  onsemi
 bc846bm3.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G,NSVBC846BM3T5GGeneral Purpose TransistorNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com ESD Rating: Human Body Model: >4000 VMachine Model: >400 VCOLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE This is a Pb-Free Device2EMI

 0.1. Size:100K  onsemi
 nsvbc846bm3t5g.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G,NSVBC846BM3T5GGeneral Purpose TransistorNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com ESD Rating: Human Body Model: >4000 VMachine Model: >400 VCOLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE This is a Pb-Free Device2EMI

 0.2. Size:96K  onsemi
 bc846bm3t5g nsvbc846bm3t5g.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5G,NSVBC846BM3T5GGeneral Purpose TransistorNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com ESD Rating: Human Body Model: >4000 VMachine Model: >400 VCOLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE This is a Pb-Free Device2EMI

 0.3. Size:102K  onsemi
 bc846bm3-d.pdf pdf_icon

BC846BM3

BC846BM3T5GGeneral Purpose TransistorNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating: Human Body Model: >4000 VMachine Model: >400 Vhttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 1BASECollector-Emitter Voltage VCEO 65 Vdc2Collector-Base Voltage VCBO 80 VdcEMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BC846ALT3G , BC846AW-G , BC846AWR , BC846BDW1T1G , BC846B-G , BC846BLP4 , BC846BLT1G , BC846BLT3G , TIP122 , BC846BMB , BC846BPDW1T1G , BC846BS , BC846BW-G , BC846BWR , BC846BWT1G , BC846C-G , BC846DS .

History: DTA124EMFHA | 2SC2508

 

 
Back to Top

 


 
.