BC846BMB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC846BMB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT883B

 Аналоги (замена) для BC846BMB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC846BMB даташит

 ..1. Size:342K  nxp
 bc846bmb.pdf pdf_icon

BC846BMB

BC846BMB 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Rev. 1 15 May 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic package Low package height of 0.37 mm Power dissipati

 7.1. Size:656K  nxp
 bc846bm.pdf pdf_icon

BC846BMB

BC846BM 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor 20 August 2015 Product data sheet 1. General description NPN general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement BC856BM. 2. Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic package Power dissipation comparable to SOT23 AEC-Q101 quali

 7.2. Size:100K  onsemi
 nsvbc846bm3t5g.pdf pdf_icon

BC846BMB

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

 7.3. Size:96K  onsemi
 bc846bm3t5g nsvbc846bm3t5g.pdf pdf_icon

BC846BMB

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC846AW-G, BC846AWR, BC846BDW1T1G, BC846B-G, BC846BLP4, BC846BLT1G, BC846BLT3G, BC846BM3, TIP42C, BC846BPDW1T1G, BC846BS, BC846BW-G, BC846BWR, BC846BWT1G, BC846C-G, BC846DS, BC847A-G