BC847AW-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC847AW-G

Маркировка: 1E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BC847AW-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847AW-G даташит

 ..1. Size:123K  comchip
 bc847aw-g bc847cw-g.pdf pdf_icon

BC847AW-G

Small Signal Transistor BC846AW-G Thru. BC848CW-G (NPN) RoHS Device Features -Power dissipation PCM 0.15W (@TA=25 C) SOT-323 -Collector current ICM 0.1A 0.087 (2.20) -Collector-base voltage 0.079 (2.00) VCBO BC846W=80V 3 BC847W=50V 0.053(1.35) BC848W=30V 0.045(1.15) -Operating and storage junction temperature 1 2 range TJ, TSTG= -55 to +150 C 0.006 (0.15) 0.055

 6.1. Size:212K  nxp
 bc847w-q bc847aw-q bc847bw-q bc847cw-q.pdf pdf_icon

BC847AW-G

BC847xW-Q series 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Rev. 2 24 June 2021 Product data sheet 1. General description NPN general-purpose transistors in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number[1] Package PNP complement Nexperia JEITA BC847W-Q SOT323 SC-70 BC857W-Q BC847AW-Q BC857AW-Q BC847BW-Q BC857BW-Q

 6.2. Size:666K  mcc
 bc846aw-bw bc847aw-bw-cw bc848aw-bw-cw sot-323.pdf pdf_icon

BC847AW-G

MCC BC846AW/BW Micro Commercial Components Micro Commercial Components BC847AW/BW/CW 20736 Marilla Street Chatsworth CA 91311 BC848AW/BW/CW Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates NPN RoHS Compliant. See ordering information) Low current (max. 100mA) General Purpose Low voltage (max. 65V) Epo

 6.3. Size:1702K  lge
 bc846aw-bw bc847aw-bw-cw bc848aw-bw-cw.pdf pdf_icon

BC847AW-G

BC846AW,BW BC847AW,BW,CW BC848AW,BW,CW STO-323 Transistor(NPN) 1. BASE 2. EMITTER SOT-323 3. COLLECTOR Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BC846W 80 BC847W 50 V BC8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC846BWT1G, BC846C-G, BC846DS, BC847A-G, BC847ALT1G, BC847AM, BC847AMB, BC847ATT1, S8550, BC847AWR, BC847AWT1G, BC847BDW1T1G, BC847BDW1T3G, BC847BF, BC847BFA, BC847BFZ, BC847B-G