Справочник транзисторов. BC847B-G

 

Биполярный транзистор BC847B-G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC847B-G
   Маркировка: 1F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BC847B-G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847B-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  comchip
bc846c-g bc847b-g.pdfpdf_icon

BC847B-G

Small Signal TransistorBC846A-G Thru. BC848C-G (NPN)RoHS DeviceFeatures -Power dissipationOPCM: 0.20W (@TA=25 C)SOT-23 -Collector currentICM: 0.1A -Collector-base voltage0.118(3.00)0.110(2.80)VCBO: BC846=80V3BC847=50V0.055(1.40)BC848=30V0.047(1.20) -Operating and storage junction temperature 1 2Orange: TJ, TSTG= -65 to +150 C 0.079(2.00)0.071(1.80)

 7.1. Size:536K  panjit
bc846a-au bc847a-au bc848a-au bc846b-au bc847b-au bc848b-au bc849b-au bc850b-au bc847c-au bc848c-au bc849c-au bc850c-au.pdfpdf_icon

BC847B-G

BC846-AU,BC847-AU,BC848-AU,BC849-AU,BC850-AU SERIESNPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORSVOLTAGE 30/45/65 Volt POWER 330 mWattFEATURES General purpose amplifier applications0.120(3.04)0.110(2.80) NPN epitaxial silicon, planar design Collector current IC = 100mA Acqire quality system certificate : TS16949 AEC-Q101 qualified Lead free in compliance with EU RoHS 20

 8.1. Size:123K  philips
bc847bv.pdfpdf_icon

BC847B-G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744BC847BVNPN general purpose double transistorProduct data sheet 2001 Sep 10NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose double transistor BC847BVFEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2package2, 5 base TR1; TR2

 8.2. Size:53K  philips
bc847bpn 2.pdfpdf_icon

BC847B-G

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETandbook, halfpageMBD128BC847BPNNPN/PNP general purposetransistor1999 Apr 26Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN/PNP general purpose transistor BC847BPNFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 e

Другие транзисторы... BC847AW-G , BC847AWR , BC847AWT1G , BC847BDW1T1G , BC847BDW1T3G , BC847BF , BC847BFA , BC847BFZ , 8050 , BC847BLT1G , BC847BLT3G , BC847BM , BC847BMB , BC847BPDW1T1G , BC847BPDW1T2G , BC847BPDW1T3G , BC847BPDXV6T1G .

History: 2SC741

 

 
Back to Top

 


 
.