BC847BPDW1T2G - аналоги, параметры транзистора

BC847BPDW1T2G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC847BPDW1T2G

Маркировка: BF

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT363

Аналоги (замена) для BC847BPDW1T2G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

BC847BPDW1T2G даташит

..1. Size:177K onsemi
bc847bpdw1t2g bc846bpdw1t1g.pdf pdf_icon

BC846BPDW1, BC847BPDW1, BC848CPDW1 Series Dual General Purpose Transistors http //onsemi.com NPN/PNP Duals (Complementary) These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is SOT-363 designed for low power surface mount applications. CASE 419B STYLE 1 Features (3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Ap

3.1. Size:131K onsemi
bc846bpdw1t1g bc847bpdw1t1g bc848cpdw1t1g.pdf pdf_icon

BC846BPDW1, BC847BPDW1, BC848CPDW1 Series Dual General Purpose Transistors www.onsemi.com NPN/PNP Duals (Complementary) These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is SOT-363 designed for low power surface mount applications. CASE 419B STYLE 1 Features (3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Appli

3.2. Size:177K onsemi
bc847bpdw1t3g.pdf pdf_icon