Справочник транзисторов. BC847CDW1T1G

 

Биполярный транзистор BC847CDW1T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC847CDW1T1G
   Маркировка: 1G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для BC847CDW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847CDW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  onsemi
 bc846bdw1t1g bc847bdw1t1g bc847cdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf pdf_icon

BC847CDW1T1G

DATA SHEETwww.onsemi.comDual General PurposeTransistorsSOT-363/SC-88CASE 419BNPN DualsSTYLE 1BC846BDW1, BC847BDW1,(3) (2) (1)BC848CDW1These transistors are designed for general purpose amplifierQ1 Q2applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.(4) (5) (6)Features S and NSV Prefixes for Automotiv

 ..2. Size:110K  onsemi
 bc847cdw1t1g.pdf pdf_icon

BC847CDW1T1G

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

 0.1. Size:110K  onsemi
 sbc847cdw1t1g.pdf pdf_icon

BC847CDW1T1G

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

 0.2. Size:209K  lrc
 lbc846bdw1t1g lbc846bdw1t3g lbc847bdw1t1g lbc847bdw1t3g lbc847cdw1t1g lbc847cdw1t3g lbc848bdw1t1g lbc848bdw1t3g lbc848cdw1t1g lbc848cdw1t3g lbc846adw1t1g lbc846adw1t3g.pdf pdf_icon

BC847CDW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN DualsLBC846ADW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC846BDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isdesigned for low power surface mount applications.LBC847BDW1T1GWe declare that the material of product compliance with LBC847CDW1T1GRoHS requirements.LBC848

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BC847BPDW1T1G , BC847BPDW1T2G , BC847BPDW1T3G , BC847BPDXV6T1G , BC847BTT1G , BC847BW-G , BC847BWR , BC847BWT1G , TIP127 , BC847CDXV6T1G , BC847C-G , BC847CLT1G , BC847CLT3G , BC847CM , BC847CMB , BC847CTT1G , BC847CW-G .

History: PBSS4360Z | BD538L | 2SB772SQ-Q | 3DD6 | RN2114MFV | CN300 | MQ3905

 

 
Back to Top

 


 
.