BC848BLT3G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC848BLT3G
Маркировка: 1K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BC848BLT3G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC848BLT3G даташит
bc849clt1g bc848blt3g.pdf
BC846ALT1 Series BC846, BC847 and BC848 are Preferred Devices General Purpose Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model >4000 V COLLECTOR 3 ESD Rating - Machine Model >400 V Pb-Free Packages are Available 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector-Emitter Voltage VCEO V
lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g lbc848blt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control C
lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC846ALT1G Moisture Sensitivity Level 1 Series ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO Vdc SOT 23 LBC846 6
lbc847clt3g lbc848alt1g lbc848alt3g lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chang
Другие транзисторы: BC848A-G, BC848ALT1G, BC848AW-G, BC848AWT1G, BC848BF, BC848B-G, BC848BL3, BC848BLT1G, 2SC2383, BC848BW-G, BC848BWT1G, BC848CDW1T1G, BC848CDXV6T1G, BC848C-G, BC848CLT1G, BC848CPDW1T1G, BC848CW-G
History: BCW96K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor




