BC856BLT3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC856BLT3G

Маркировка: 3B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BC856BLT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC856BLT3G даташит

 ..1. Size:801K  onsemi
 bc856blt1g bc857clt3g bc856blt3g bc857blt1g bc857blt3g bc858blt3g bc858alt1g bc857clt1g.pdf pdf_icon

BC856BLT3G

BC856ALT1G Series, SBC856ALT1G Series General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS BASE Compliant 2 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS

 0.1. Size:159K  lrc
 lbc856alt3g lbc856blt3g lbc857alt1g lbc857blt3g lbc857clt1g lbc858alt1g lbc858blt3g lbc858clt3g lbc859blt1g lbc859clt3g.pdf pdf_icon

BC856BLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LBC857CLT1G PNP Silicon Series S-LBC857CLT1G Moisture Sensitivity Level 1 Series ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with 3 RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site a

 0.2. Size:234K  lrc
 lbc856alt1g lbc856alt3g lbc856blt1g lbc856blt3g lbc857alt1g lbc857alt1g lbc857blt1g lbc857blt3g lbc857clt1g lbc857clt1g.pdf pdf_icon

BC856BLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating Human Body Model >4000 V LBC857CLT1G ESD Rating Machine Model >400 V S-LBC857CLT1G We declare that the material of product compliance with Series RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Ch

 0.3. Size:353K  lrc
 lbc856blt1g lbc856blt3g.pdf pdf_icon

BC856BLT3G

LBC856BLT1G S-LBC856BLT1G General Purpose Transistors PNP Silicon 1. FEATURES Moisture Sensitivity Level 1 SOT23(TO-236) ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with 3 COLLECTOR RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring 1 unique si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC850BLT1G, BC850CLT1G, BC850S, BC856ALT1G, BC856AW-G, BC856BDW1T1G, BC856BDW1T3G, BC856BLT1G, 2N3904, BC856BW-G, BC856BWT1G, BC856C, BC856LT1, BC856T, BC857ALT1G, BC857AM, BC857AMB