BC857AW-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC857AW-G

Маркировка: 3E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BC857AW-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857AW-G даташит

 ..1. Size:140K  comchip
bc858aw-g bc857aw-g.pdfpdf_icon

BC857AW-G

Small Signal Transistor BC856AW-G Thru. BC858CW-G (PNP) RoHS Device Features -Ideally suited for automatic insertion -For Switching and AF Amplifier Applications SOT-323 -Power dissipation PCM 0.15W (@TA=25 C) 0.087 (2.20) 0.079 (2.00) -Collector current 3 ICM -0.1A -Collector-base voltage 0.053(1.35) 0.045(1.15) VCBO BC856W= -80V BC857W= -50V 1 2 0.006 (0.15) BC85

 6.1. Size:444K  secos
bc856aw-bc857aw-bc858aw.pdfpdf_icon

BC857AW-G

BC856AW, BW BC857AW, BW, CW Elektronische Bauelemente BC858AW, BW, CW RoHS Compliant Product FEATURES * Ideally suited for automatic insertion * For Switching and AF Amplifier Applications SOT-323 O O * Operating Temp. -55 C +150 C Dim Min Max A A 1.800 2.200 L B 1.150 1.350 C OLLE C TOR 3 C 0.800 1.000 S Top View 3 B 12 D 0.300 0.400 G 1.200 1.400 1 V G H 0.000 0.

 6.2. Size:279K  lge
bc856aw-bw bc857aw-bw-cw bc858aw-bw-cw.pdfpdf_icon

BC857AW-G

BC856AW,BW BC857AW,BW,CW BC858AW,BW,CW STO-323 Transistor(PNP) 1. BASE 2. EMITTER SOT-323 3. COLLECTOR Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC856W -80 VCBO V BC857W -50 Dimensions in inches and (millimeters)

 7.1. Size:251K  motorola
bc856awt bc857awt bc858awt.pdfpdf_icon

BC857AW-G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC856AWT1/D General Purpose Transistors BC856AWT1,BWT1 PNP Silicon BC857AWT1,BWT1 COLLECTOR BC858AWT1,BWT1, These transistors are designed for general purpose amplifier 3 applications. They are housed in the SOT 323/SC 70 which is CWT1 designed for low power surface mount applications. 1 Motorola Preferred Devices B

Другие транзисторы: BC856BW-G, BC856BWT1G, BC856C, BC856LT1, BC856T, BC857ALT1G, BC857AM, BC857AMB, C5198, BC857AWR, BC857BDW1T1G, BC857BFA, BC857BFZ, BC857BL3, BC857BLT1G, BC857BLT3G, BC857BM