Справочник транзисторов. BC857AW-G

 

Биполярный транзистор BC857AW-G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC857AW-G
   Маркировка: 3E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC857AW-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  comchip
bc858aw-g bc857aw-g.pdfpdf_icon

BC857AW-G

Small Signal TransistorBC856AW-G Thru. BC858CW-G (PNP)RoHS DeviceFeatures -Ideally suited for automatic insertion -For Switching and AF Amplifier ApplicationsSOT-323 -Power dissipationPCM: 0.15W (@TA=25C)0.087 (2.20)0.079 (2.00) -Collector current3ICM: -0.1A -Collector-base voltage0.053(1.35)0.045(1.15)VCBO: BC856W= -80VBC857W= -50V1 20.006 (0.15)BC85

 6.1. Size:444K  secos
bc856aw-bc857aw-bc858aw.pdfpdf_icon

BC857AW-G

BC856AW, BWBC857AW, BW, CWElektronische BauelementeBC858AW, BW, CWRoHS Compliant ProductFEATURES* Ideally suited for automatic insertion * For Switching and AF Amplifier Applications SOT-323O O* Operating Temp. : -55 C ~ +150 C Dim Min MaxAA 1.800 2.200LB 1.150 1.350C OLLE C TOR 3C 0.800 1.000STop View3 B12 D 0.300 0.400G 1.200 1.4001V GH 0.000 0.

 6.2. Size:279K  lge
bc856aw-bw bc857aw-bw-cw bc858aw-bw-cw.pdfpdf_icon

BC857AW-G

BC856AW,BWBC857AW,BW,CWBC858AW,BW,CW STO-323 Transistor(PNP)1. BASE 2. EMITTER SOT-3233. COLLECTOR Features Ideally suited for automatic insertion For Switching and AF Amplifier Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage BC856W -80 VCBO V BC857W -50 Dimensions in inches and (millimeters)

 7.1. Size:251K  motorola
bc856awt bc857awt bc858awt.pdfpdf_icon

BC857AW-G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC856AWT1/DGeneral Purpose TransistorsBC856AWT1,BWT1PNP SiliconBC857AWT1,BWT1COLLECTOR BC858AWT1,BWT1,These transistors are designed for general purpose amplifier3applications. They are housed in the SOT323/SC70 which is CWT1designed for low power surface mount applications.1Motorola Preferred DevicesB

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BTB1424FP | KT368B9 | 2SC4396 | NB323Z | DRA9114E | TI428

 

 
Back to Top

 


 
.