BC857BFZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC857BFZ

Маркировка: 3W

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: X2-DFN0606-3

 Аналоги (замена) для BC857BFZ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857BFZ даташит

 ..1. Size:543K  diodes
bc857bfz 1188540.pdfpdf_icon

BC857BFZ

BC857BFZ 45V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN DFN0606 Features Mechanical Data BVCEO > -45V Case X2-DFN0606-3 IC = -100mA High Collector Current Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. PD = 925mW Power Dissipation UL Flammability Classification Rating 94V-0 0.36mm2 Package Footprint, 40% Smaller than DFN1006 Moisture Sensitivity Level

 7.1. Size:207K  diodes
bc857bfa.pdfpdf_icon

BC857BFZ

BC857BFA 45V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN DFN0806 Features Mechanical Data BVCEO > -45V Case X2-DFN0806-3 IC = -100mA high Collector Current Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. PD = 435mW Power Dissipation UL Flammability Classification Rating 94V-0 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 Moisture Sensitivity Leve

 7.2. Size:140K  infineon
bc856a bc856b bc856bw bc857a bc857b bc857bf bc857bl3 bc857bw bc857c bc857cw bc858a bc858b bc858bl3 bc858bw bc858c bc858cw bc859b bc859c bc860b bc860bw bc860cw.pdfpdf_icon

BC857BFZ

BC856...-BC860... PNP Silicon AF Transistor For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 hz and 15 kHz Complementary types BC846...-BC850... (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 1 Pb-containing package may be available upon special request 20

 8.1. Size:121K  philips
bc857bv.pdfpdf_icon

BC857BFZ

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 BC857BV PNP general purpose double transistor Product data sheet 2001 Nov 07 Supersedes data of 2001 Aug 10 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose double transistor BC857BV FEATURES PINNING 300 mW total power dissipation PIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2

Другие транзисторы: BC856T, BC857ALT1G, BC857AM, BC857AMB, BC857AW-G, BC857AWR, BC857BDW1T1G, BC857BFA, TIP122, BC857BL3, BC857BLT1G, BC857BLT3G, BC857BM, BC857BMB, BC857BTT1G, BC857BW-G, BC857BWR