Справочник транзисторов. BC857BW-G

 

Биполярный транзистор BC857BW-G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC857BW-G
   Маркировка: 3F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для BC857BW-G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857BW-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  comchip
bc858bw-g bc857bw-g.pdfpdf_icon

BC857BW-G

Small Signal TransistorBC856AW-G Thru. BC858CW-G (PNP)RoHS DeviceFeatures -Ideally suited for automatic insertion -For Switching and AF Amplifier ApplicationsSOT-323 -Power dissipationPCM: 0.15W (@TA=25C)0.087 (2.20)0.079 (2.00) -Collector current3ICM: -0.1A -Collector-base voltage0.053(1.35)0.045(1.15)VCBO: BC856W= -80VBC857W= -50V1 20.006 (0.15)BC85

 7.1. Size:41K  st
bc857bw.pdfpdf_icon

BC857BW-G

BC857BWSMALL SIGNAL PNP TRANSISTORPRELIMINARY DATAType MarkingBC857BW 3FW SILICON EPITAXIAL PLANAR PNPTRANSISTOR MINIATURE SOT-323 PLASTIC PACKAGEFOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING THE NPN COMPLEMENTARY TYPE ISBC847BWAPPLICATIONS SOT-323 WELL SUITABLE FOR PORTABLEEQUIPMENT SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITHHIGH GAIN AND LOW SATURATIONVOLTA

 7.2. Size:157K  nxp
bc856w bc856aw bc856bw bc857w bc857aw bc857bw bc857cw bc858w.pdfpdf_icon

BC857BW-G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D102BC856W; BC857W; BC858WPNP general purpose transistorsProduct data sheet 2002 Feb 04Supersedes data of 1999 Apr 12NXP Semiconductors Product data sheetBC856W; BC857W; PNP general purpose transistorsBC858WFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V).1 base2 emitter

 7.3. Size:401K  central
bc857cwr bc857bwr.pdfpdf_icon

BC857BW-G

BC856W SERIESBC857W SERIESwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856W and BC857W Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE

Другие транзисторы... BC857BFA , BC857BFZ , BC857BL3 , BC857BLT1G , BC857BLT3G , BC857BM , BC857BMB , BC857BTT1G , TIP42C , BC857BWR , BC857BWT1G , BC857CDW1T1G , BC857CLT1G , BC857CLT3G , BC857CM , BC857CMB , BC857CW-G .

History: BC849CW-AU

 

 
Back to Top

 


 
.