BC857BW-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC857BW-G

Маркировка: 3F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BC857BW-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857BW-G даташит

 ..1. Size:140K  comchip
bc858bw-g bc857bw-g.pdfpdf_icon

BC857BW-G

Small Signal Transistor BC856AW-G Thru. BC858CW-G (PNP) RoHS Device Features -Ideally suited for automatic insertion -For Switching and AF Amplifier Applications SOT-323 -Power dissipation PCM 0.15W (@TA=25 C) 0.087 (2.20) 0.079 (2.00) -Collector current 3 ICM -0.1A -Collector-base voltage 0.053(1.35) 0.045(1.15) VCBO BC856W= -80V BC857W= -50V 1 2 0.006 (0.15) BC85

 7.1. Size:41K  st
bc857bw.pdfpdf_icon

BC857BW-G

BC857BW SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Type Marking BC857BW 3FW SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MINIATURE SOT-323 PLASTIC PACKAGE FOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS BC847BW APPLICATIONS SOT-323 WELL SUITABLE FOR PORTABLE EQUIPMENT SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITH HIGH GAIN AND LOW SATURATION VOLTA

 7.2. Size:157K  nxp
bc856w bc856aw bc856bw bc857w bc857aw bc857bw bc857cw bc858w.pdfpdf_icon

BC857BW-G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D102 BC856W; BC857W; BC858W PNP general purpose transistors Product data sheet 2002 Feb 04 Supersedes data of 1999 Apr 12 NXP Semiconductors Product data sheet BC856W; BC857W; PNP general purpose transistors BC858W FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V). 1 base 2 emitter

 7.3. Size:401K  central
bc857cwr bc857bwr.pdfpdf_icon

BC857BW-G

BC856W SERIES BC857W SERIES www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856W and BC857W Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE SEE MARKING CODE

Другие транзисторы: BC857BFA, BC857BFZ, BC857BL3, BC857BLT1G, BC857BLT3G, BC857BM, BC857BMB, BC857BTT1G, TIP42C, BC857BWR, BC857BWT1G, BC857CDW1T1G, BC857CLT1G, BC857CLT3G, BC857CM, BC857CMB, BC857CW-G