BCM846BS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCM846BS
Маркировка: F2*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для BCM846BS
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCM846BS даташит
bcm846bs.pdf
BCM846BS NPN/NPN matched double transistor 26 June 2015 Product data sheet 1. General description NPN/NPN matched double transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. The transistors are fully isolated internally. 2. Features and benefits Current gain matching Base-emitter voltage matching Drop-in replacement for standard double t
bcm846s.pdf
BCM846S NPN Silicon AF Transistor Array Precision matched transistor pair IC 10% 4 5 3 For current mirror applications 6 2 1 Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated Transistors Complementary type BCM856S BCM846S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Quali
bcm847bv bs ds.pdf
BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS NPN/NPN matched double transistors Rev. 06 28 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP Matched version of complement NXP JEITA
bcm847qas.pdf
BCM847QAS 45 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistors 24 April 2018 Product data sheet 1. General description NPN/NPN matched double transistors in an ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) leadless Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. PNP/PNP complement BCM857QAS 2. Features and benefits Reduces component count Reduces pick and place costs Low package height of 0
Другие транзисторы: BC858CLT1G, BC858CLT3G, BC858CW-G, BC858LT1, BC868-10, BC868-16, BCM61B, BCM62B, 2SC2625, BCM847BS, BCM847BV, BCM847DS, BCM856BS, BCM856DS, BCM857BS, BCM857BV, BCM857DS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941







