BCW32LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW32LT1G

Маркировка: D2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW32LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW32LT1G даташит

 ..1. Size:188K  onsemi
bcw32lt1g.pdfpdf_icon

BCW32LT1G

BCW32LT1G General Purpose Transistors NPN Silicon Features www.onsemi.com NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 COLLECTOR Qualified and PPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector-Emit

 0.1. Size:96K  onsemi
nsvbcw32lt1g.pdfpdf_icon

BCW32LT1G

BCW32LT1G General Purpose Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 COLLECTOR Qualified and PPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector-E

 6.1. Size:192K  onsemi
bcw32lt1-d.pdfpdf_icon

BCW32LT1G

BCW32LT1G General Purpose Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 32 Vdc EMITTER Collector-Base Voltage VCBO 32 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 100 mAdc 3 S

 9.1. Size:112K  philips
bcw31 bcw32 bcw33 2.pdfpdf_icon

BCW32LT1G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BCW31; BCW32; BCW33 NPN general purpose transistors Product data sheet 2004 Feb 06 Supersedes data of 2000 Jul 04 NXP Semiconductors Product data sheet BCW31; BCW32; NPN general purpose transistors BCW33 FEATURES PINNING Low current (100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector General

Другие транзисторы: BCP5616Q, BCP56-16T1G, BCP56-16T3G, BCP56T1G, BCP56T3G, BCP68T1G, BCP69T1G, BCW30LT1G, BC639, BCW33LT1G, BCW33LT3G, BCW35X, BCW65ALT1G, BCW65CLT1G, BCW66GLT1G, BCW68GLT1G, BCW70LT1G