BF257DCSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF257DCSM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для BF257DCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF257DCSM даташит

 ..1. Size:11K  semelab
bf257dcsm.pdfpdf_icon

BF257DCSM

BF257DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 160V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.1A C (0.0

 9.1. Size:83K  st
bf257 bf258 bf259.pdfpdf_icon

BF257DCSM

BF257 BF258-BF259 HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS DESCRIPTION The BF257, BF258 and BF259 are silicon planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 metal case.They are particularly designed for videooutput stages in CTV and MTV sets, class A audio output stages and drivers for horizontal deflection circuits. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value Symbol Para

 9.2. Size:29K  semelab
bf257csm4.pdfpdf_icon

BF257DCSM

BF257CSM4 SILICON PLANAR NPN HIGH MECHANICAL DATA VOLTAGE TRANSISTOR IN A Dimensions in mm (inches) CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE 1.40 0.15 5.59 0.13 (0.055 0.006) (0.22 0.005) 0.25 0.03 (0.01 0.001) 0.23 rad. (0.009) 3 2 0.23 4 1 min. (0.009) FEATURES High Voltage 1.02 0.20 2.03 0.20 (0.04 0.008) (0.08 0.008) Ceramic Surface Mount

Другие транзисторы: BCY78-VII, BCY78-VIII, BCY78-X, BCY79-IX, BCY79-VII, BCY79-VIII, BCY79-X, BF257CSM4, C5198, BF258DCSM, BF422G, BF720T1G, BF721T1G, BF748, BF822W, BFG10WX, BFG10X