BFT30DCSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT30DCSM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для BFT30DCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT30DCSM даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 bft30dcsm.pdf pdf_icon

BFT30DCSM

 9.1. Size:10K  semelab
 bft30csm.pdf pdf_icon

BFT30DCSM

BFT30CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 60V A = (0.04 0.004)

Другие транзисторы: BF822W, BFG10WX, BFG10X, BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A, BFT29X, BFT30CSM, A1941, BFT32A, BFT33A, BFT33B, BFT33L, BFT34A, BFT36A, BFT36L, BFT44S