BFT58CSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT58CSM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: LCC1

 Аналоги (замена) для BFT58CSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT58CSM даташит

 ..1. Size:11K  semelab
 bft58csm.pdf pdf_icon

BFT58CSM

BFT58CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 200V A = (0.04 0.004

 9.1. Size:10K  semelab
 bft58dcsm.pdf pdf_icon

BFT58CSM

BFT58DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 200V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.2A C (0.0

Другие транзисторы: BFT33L, BFT34A, BFT36A, BFT36L, BFT44S, BFT46DCSM, BFT57CSM, BFT57DCSM, MJE340, BFT58DCSM, BFT59CSM, BFT59DCSM, BT2222, BT2222A, BT3904, BTA1012E3, BTA1015A3