Справочник транзисторов. BFT58DCSM

 

Биполярный транзистор BFT58DCSM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFT58DCSM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для BFT58DCSM

 

 

BFT58DCSM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10K  semelab
bft58dcsm.pdf

BFT58DCSM

BFT58DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar NPN Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 200V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.0

 9.1. Size:11K  semelab
bft58csm.pdf

BFT58DCSM

BFT58CSMDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar NPN Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 200V A =(0.04 0.004

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top