BTA2039J3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTA2039J3
Маркировка: A2039
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для BTA2039J3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTA2039J3 даташит
bta2039j3.pdf
Spec. No. C157J3 Issued Date 2014.12.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.12.04 Page No. 1/7 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor BTA2039J3 Features Large current capability Very low saturation voltage Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline T
mmbta20l.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA20LT1/D General Purpose Amplifier MMBTA20LT1 NPN Silicon COLLECTOR 3 1 3 BASE 1 2 2 EMITTER CASE 318 08, STYLE 6 MAXIMUM RATINGS SOT 23 (TO 236AB) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current Continuous IC 100 mAdc THERMAL C
smbta20.pdf
NPN Silicon AF Transistor SMBTA 20 High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBTA 20 s1C Q6800-A6477 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 100 mA Peak collector current ICM 200 Pea
mmbta20lt1.pdf
MMBTA20LT1 General Purpose Amplifier NPN Silicon Features Pb-Free Package is Available http //onsemi.com COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 1 BASE Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 100 mAdc 2 THERMAL CHARACTERISTICS EMITTER Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR-5
Другие транзисторы: BFT58DCSM, BFT59CSM, BFT59DCSM, BT2222, BT2222A, BT3904, BTA1012E3, BTA1015A3, 8050, BTB1184J3S, BTB1236AL3, BTB1426A3, BTB7150N3, BTB772SA3, BTC2328AK3, BTC4621K3, BTD1805D3
History: MP1537A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291





