CH848BGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CH848BGP

Маркировка: P_Q_Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для CH848BGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CH848BGP даташит

 ..1. Size:230K  chenmko
 ch848bgp.pdf pdf_icon

CH848BGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH848BGP SURFACE MOUNT NPN General Purpose Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.1 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SOT-23 * Small surface mounting type. (SOT-23) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (1) * Hig

 8.1. Size:215K  chenmko
 ch848bpt.pdf pdf_icon

CH848BGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH848BPT SURFACE MOUNT NPN General Purpose Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.1 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SOT-23 * Small surface mounting type. (SOT-23) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (1) * Hig

Другие транзисторы: CH772GP, CH817SGP, CH817UPNGP, CH837SGP, CH837UPNGP, CH847BGP, CH847SGP, CH847UPNGP, 2N5551, CH857SGP, CH858BGP, CH867UNPGP, CH867UPNGP, CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP