CH882GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CH882GP

Маркировка: Q82_882_E82

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для CH882GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CH882GP даташит

 ..1. Size:104K  chenmko
 ch882gp.pdf pdf_icon

CH882GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH882GP SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (DPAK) DPAK/TO-252 * Low saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=2A) * High speed switching time tstg= 1.0uSec (typ.) * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). .094 (2.38) .086 (2.19) * H

Другие транзисторы: CH847BGP, CH847SGP, CH847UPNGP, CH848BGP, CH857SGP, CH858BGP, CH867UNPGP, CH867UPNGP, BC548, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL