CJ201NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ201NL

Маркировка: 201N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 280

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CJ201NL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJ201NL даташит

 ..1. Size:151K  jiangsu
 cj201nl.pdf pdf_icon

CJ201NL

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors CJ201NL TRANSISTOR (NPN) SOT 23 FEATURES High Collector Current Capability Low Collector-emitter Saturation Voltage High Efficiency Leading to Less Heat Generation 1. BASE Reduced PCB Requirements 2. EMITTER Alternatived Effectively to MOSFETS in Specific Applications

Другие транзисторы: CH867UPNGP, CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, A1015, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, CJP718, CM4209, CM45-12A, CM4957