CMBT3906E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMBT3906E

Маркировка: G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-923

 Аналоги (замена) для CMBT3906E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT3906E даташит

 ..1. Size:352K  central
 cmbt3904e cmbt3906e.pdf pdf_icon

CMBT3906E

CMBT3904E NPN CMBT3906E PNP www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E SILICON TRANSISTORS (NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors with enhanced specifications. These devices are ideal for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged

 ..2. Size:352K  central
 cmbt3906e.pdf pdf_icon

CMBT3906E

CMBT3904E NPN CMBT3906E PNP www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E SILICON TRANSISTORS (NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors with enhanced specifications. These devices are ideal for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged

 6.1. Size:146K  cdil
 cmbt3906.pdf pdf_icon

CMBT3906E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT3906 SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR P N P transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT3906 = 2A ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCB0 max. 40

 7.1. Size:352K  central
 cmbt3904e.pdf pdf_icon

CMBT3906E

CMBT3904E NPN CMBT3906E PNP www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E SILICON TRANSISTORS (NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors with enhanced specifications. These devices are ideal for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CJP718, CM4209, CM45-12A, CM4957, CM5160, CM5583, CM5943, CMBT3904E, 13003, CMBTA93, CMKT2207, CMKT2222A, CMKT2907A, CMKT3904, CMKT3906, CMKT3920, CMKT5078