CMBTA93. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CMBTA93
Маркировка: 2E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для CMBTA93
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMBTA93 даташит
cmbta93.pdf
www.datasheet4u.com Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBTA92 CMBTA93 SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS P N P transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBTA92 = 2D ALL DIMENSIONS IN mm CMBTA93 = 2E Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS CMBT A92 A
cmbta92 93.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBTA92 CMBTA93 SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS P N P transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBTA92 = 2D ALL DIMENSIONS IN mm CMBTA93 = 2E Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS CMBT A92 A93 Collector base
cmbta13.pdf
CMBTA13 NPN Small-Signal Darlington Transistors Pin configuration 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 3 1 2 Unit inch (mm) Absolute Maximum Ratings Symbol Value UNIT Collector-emmitter voltage (open base) VCES max 30 V VBE = 0 IC max 300 mA Collector current (d.c.) Total power dissipation up to Ptot max 250 mW Tamb = 25oC o Tj max 150 Junction Temperature C D.C. curren
cmbta05 06.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBTA05 CMBTA06 SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBTA05 = 1H ALL DIMENSIONS IN mm CMBTA06 = 1G Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS CMBT A05 A06 Collector base
Другие транзисторы: CM4209, CM45-12A, CM4957, CM5160, CM5583, CM5943, CMBT3904E, CMBT3906E, 2SD1047, CMKT2207, CMKT2222A, CMKT2907A, CMKT3904, CMKT3906, CMKT3920, CMKT5078, CMKT5087
History: 2SC2839D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566








