CMKT5089M10 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор CMKT5089M10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: CMKT5089M10
   Маркировка: C9MO
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: SOT-363

Аналоги (замена) для CMKT5089M10

CMKT5089M10 Datasheet (PDF)

..1. Size:492K central
cmkt5089m10.pdf

CMKT5089M10www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDUAL NPN SILICONDESCRIPTION:MATCHED hFE TRANSISTORSThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT5089M10 consists of two (2) individually isolated 5089NPN silicon transistors with matched hFE. This ULTRAmini device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-363 surface mount package. The CMKT5089M10 has been d

7.1. Size:427K central
cmkt5088.pdf

CMKT5078 NPN/PNP CMKT5087 PNP/PNP CMKT5088 NPN/NPNwww.centralsemi.comDESCRIPTION:SURFACE MOUNTThe Central Semiconductor CMKT5078 (one each DUAL SILICON TRANSISTORSNPN and PNP complementary), CMKT5087 (two single PNP), and CMKT5088 (two single NPN) are combinations of transistors in a space saving SOT-363 ULTRAmini package, designed for applications requiring high gain

7.2. Size:427K central
cmkt5087.pdf