Биполярный транзистор CMLT3474 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CMLT3474
Маркировка: C37
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-563
- подбор биполярного транзистора по параметрам
CMLT3474 Datasheet (PDF)
cmlt3474.pdf

CMLT3410 NPNCMLT7410 PNP CMLT3474 NPN/PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:DUAL, LOW VCE(SAT)These CENTRAL SEMICONDUCTOR dual devices TRANSISTORS are low VCE(SAT) silicon transistors in an SOT-563 surface mount package designed for small signal general purpose amplifier and switching applications requiring low collector emitter saturation voltage.MARKIN
cmlt3410.pdf

CMLT3410 NPNCMLT7410 PNP CMLT3474 NPN/PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:DUAL, LOW VCE(SAT)These CENTRAL SEMICONDUCTOR dual devices TRANSISTORS are low VCE(SAT) silicon transistors in an SOT-563 surface mount package designed for small signal general purpose amplifier and switching applications requiring low collector emitter saturation voltage.MARKIN
cmlt3946e.pdf

CMLT3904E CMLT3904EG* NPN CMLT3906E CMLT3906EG* PNPCMLT3946E CMLT3946EG* NPN/PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONDESCRIPTION:SURFACE MOUNT SILICONThese CENTRAL SEMICONDUCTOR devices COMPLEMENTARY TRANSISTORSare combinations of dual, enhanced specification transistors in a space saving SOT-563 package, designed for small signal general purpose amplifierand switch
cmlt3904e.pdf

CMLT3904E CMLT3904EG* NPN CMLT3906E CMLT3906EG* PNPCMLT3946E CMLT3946EG* NPN/PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONDESCRIPTION:SURFACE MOUNT SILICONThese CENTRAL SEMICONDUCTOR devices COMPLEMENTARY TRANSISTORSare combinations of dual, enhanced specification transistors in a space saving SOT-563 package, designed for small signal general purpose amplifierand switch
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1177C | BFG520-X | HSE226 | BD139 | S9013-MS | MP8535
History: 2SD1177C | BFG520-X | HSE226 | BD139 | S9013-MS | MP8535



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor