CMPT5401E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CMPT5401E
Маркировка: C540
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для CMPT5401E
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMPT5401E даташит
cmpt5401e.pdf
CMPT5401E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5401E is an PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage and small space saving packaging. MARKING CODE C540 FEATURES High Collector Breakdown Voltag
cmpt5401.pdf
CMPT5401 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5401 type is a PNP silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE C2L SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VC
cmpt5179.pdf
CMPT5179 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C7H SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA
cmpt5551.pdf
CMPT5551 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE 1FF SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage
Другие транзисторы... CMPT3820 , CMPT3904E , CMPT3906E , CMPT404A , CMPT4209 , CMPT491E , CMPT5087E , CMPT5088E , TIP142 , CMPT5551E , CMPT5551HC , CMPT591E , CMPT7410 , CMPT7820 , CMPT992 , CMPT992P , CMPTA14E .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet












